МОДЕЛИРОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА AlGaN ГЕТЕРОПЕРЕХОДНОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА - Ворсин, Николай Николаевич; Гладыщук, Анатолий Антонович; Кушнер, Татьяна Леонидовна; Тарасюк, Николай Петрович; Чугунов, Сергей Владимирович (Вестник Брестского государственного технического университета, 2023)
Тройное соединение AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ является перспективным материалом для построения различных электронных приборов: диодов, транзисторов, лазеров, СВЧ-микросхем. Замена кремния на нитрид галлия позволяет в несколько раз повысить рабочую температуру, граничную частоту, уменьшить в несколько раз потери переключения и проводимости в силовых приборах. Необходимым элементом освоения новых электронных устройств является компьютерное моделирование в них физических процессов. В настоящей работе с помощью программного обеспечения COMSOL Multiphysics разработана модель гетеропереходного полевого транзистора на основе AlxGa1-xN, включающая его вольт-амперную характеристику и другие параметры.